보배드림

반도체 크기가 작아짐에 따라서, 누설 전류량이 증가하고 있어.

이것은 양자 터널링 효과 때문인데,

양자 터널링 효과라는것은 전자가 일정 에너지가 모여 전압이 높아지게 되면, 

전자가 전해질 없이 공간을 이동하는 현상이야.

이것이 가능한게 전자는 입자이기 때문에, 

매질이 없어도 일정 압력을 가지게 되면 공간 이동이 가능하기 때문이지.

그래서 소자가 작아질수록 웨이퍼 산화막의 공극이 상대적으로 커지면서,

누설 전류량이 높았던거지.

그래서 만들어진 반도체에 액체로 된 절연 물질을 넣어주고, 초음파기를 사용해서,

매질에 영향을 줘, 미세 공극 사이에 있는 공기가 빠져나오고, 

공극까지 절연 물질이 가득차게 되면 빛을 쏘아서 굳혀주는거야.

그러면 산화막 공극이 막히면서 양자 터널링 효과가 사라지게 되겠지.

또, 산화막을 만드는 과정에서 산화막의 밀도를 높이기 위해서,

건식으로 산화막을 만들고, 산화막 사이사이의 미세한 공극을 메꾸기 위해서, 

액체 절연체를 그 안에 두고, 굳힌 이후에 다시 컷팅해서, 단면에 산화막이 있고, 공극에는 절연체가 들어가있도록 하는거야.

그래서 웨이퍼 수율을 결정하는데, 산화막 밀도에서 결정된다고 할수있어.

산화막의 공극율에 따라서 누설 전류량이 달라지기 때문이지.

이러면 높은 전압에서도 누설 전류를 막을수있는거야.